B65816-A2002C61035-A62-C21

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B65816-A2002C61035-A62-C21 技术参数

B65815PR92 功能描述:FERRITE CORE RM 4.8UH N92 制造商:epcos (tdk) 系列:B65815P 零件状态:有效内核类型:RM 电感因数（Al）:4.8μH 容差:-20%，+30% 间隙:无缺口有效磁导率 (μe):1090 初始磁导率（μi）:1500 材料:N92 磁心因数（ΣI/A） mm-1:0.29 有效长度（e） mm:42 有效面积（Ae）mm2:147.5 最小磁心横截面（Amin）?mm2:124.7 有效磁体体积（Ve） mm3:6195 表面:无涂层供应商器件封装:RM 12 LP 高度:8.40mm 长度:37.60mm 宽度:16.10mm 直径:- 标准包装:100 B65815PR87 功能描述:FERRITE CORE RM 6.3UH N87 制造商:epcos (tdk) 系列:B65815P 零件状态:有效内核类型:RM 电感因数（Al）:6.3μH 容差:-20%，+30% 间隙:无缺口有效磁导率 (μe):1430 初始磁导率（μi）:2200 材料:N87 磁心因数（ΣI/A） mm-1:0.29 有效长度（e） mm:42 有效面积（Ae）mm2:147.5 最小磁心横截面（Amin）?mm2:124.7 有效磁体体积（Ve） mm3:6195 表面:无涂层供应商器件封装:RM 12 LP 高度:8.40mm 长度:37.60mm 宽度:16.10mm 直径:- 标准包装:100 B65815P0000R092 功能描述:FERRITE CORE RM 4.8UH N92 2PCS 制造商:epcos (tdk) 系列:B65815P 零件状态:在售内核类型:RM 电感因数（Al）:4.8μH 容差:-20%，+30% 间隙:无缺口有效磁导率 (μe):1090 初始磁导率（μi）:1500 材料:N92 磁心因数（ΣI/A） mm-1:0.29 有效长度（e） mm:42 有效面积（Ae）mm2:147.5 最小磁心横截面（Amin）?mm2:124.7 有效磁体体积（Ve） mm3:6195 表面:无涂层供应商器件封装:RM 12 LP 高度:8.40mm 长度:37.60mm 宽度:16.10mm 直径:- 标准包装:100 B65815P0000R087 功能描述:FERRITE CORE RM 6.3UH N87 2PCS 制造商:epcos (tdk) 系列:B65815P 零件状态:在售内核类型:RM 电感因数（Al）:6.3μH 容差:-20%，+30% 间隙:无缺口有效磁导率 (μe):1430 初始磁导率（μi）:2200 材料:N87 磁心因数（ΣI/A） mm-1:0.29 有效长度（e） mm:42 有效面积（Ae）mm2:147.5 最小磁心横截面（Amin）?mm2:124.7 有效磁体体积（Ve） mm3:6195 表面:无涂层供应商器件封装:RM 12 LP 高度:8.40mm 长度:37.60mm 宽度:16.10mm 直径:- 标准包装:100 B65815ER97 功能描述:FERRITE CORE RM 5.3UH N97 制造商:epcos (tdk) 系列:B65815 零件状态:有效内核类型:RM 电感因数（Al）:5.3μH 容差:-20%，+30% 间隙:无缺口有效磁导率 (μe):1640 初始磁导率（μi）:2300 材料:N97 磁心因数（ΣI/A） mm-1:0.39 有效长度（e） mm:57 有效面积（Ae）mm2:146 最小磁心横截面（Amin）?mm2:125 有效磁体体积（Ve） mm3:8320 表面:无涂层供应商器件封装:RM 12 高度:12.30mm 长度:37.60mm 宽度:16.10mm 直径:- 标准包装:100 B65819J0100J087 B65819J0160J041 B65819J0250J041 B65819J0400A048 B65819J100J87 B65819J160J41 B65819J250J41 B65819J400A48 B65819JR30 B65819JR48 B65819JR49 B65819JR87 B65819JR97 B65819JY38 B65819N0063A033 B65819N0160A048 B65819N0250A048 B65819N0315A048