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B82442T1106K50

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  • B82442T1106K50
    B82442T1106K50

    B82442T1106K50

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-62962871629687318256329162961347

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 5000

  • EPCOS (TDK)

  • 标准封装

  • 16+

  • -

  • 假一罚十，百分百原装正品

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  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • Ind General Purpose Chip Molded Wirewound 10mH 10% 79.6KHz 25Q-Factor Ferrite 46mA 2220 Blister T/R
  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 2220 10000UH 10%
B82442T1106K50 技术参数
  • B82442T1106J50 功能描述:10mH Unshielded Wirewound Inductor 46mA 112 Ohm Max 2-SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:10mH 容差:±5% 额定电流:46mA 电流 - 饱和值:81mA 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:112 欧姆最大 不同频率时的 Q 值:25 @ 79.6kHz 频率 - 自谐振:500MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:79.6kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD 大小/尺寸:0.221" 长 x 0.197" 宽（5.60mm x 5.00mm） 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1,500 B82442T1105K50 功能描述:1mH Unshielded Wirewound Inductor 150mA 9.5 Ohm Max 2220 (5650 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1mH 容差:±10% 额定电流:150mA 电流 - 饱和值:246mA 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:9.5 欧姆最大 不同频率时的 Q 值:30 @ 252kHz 频率 - 自谐振:1.8MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:252kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2220（5650 公制） 大小/尺寸:0.221" 长 x 0.197" 宽（5.60mm x 5.00mm） 高度 - 安装（最大值）:0.209"（5.30mm） 标准包装:1 B82442T1104K50 功能描述:100μH Unshielded Wirewound Inductor 510mA 990 mOhm Max 2220 (5650 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:100μH 容差:±10% 额定电流:510mA 电流 - 饱和值:760mA 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:990 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:20 @ 796kHz 频率 - 自谐振:6.1MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:796kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2220（5650 公制） 大小/尺寸:0.221" 长 x 0.197" 宽（5.60mm x 5.00mm） 高度 - 安装（最大值）:0.209"（5.30mm） 标准包装:1 B82442T1103K50 功能描述:10μH Unshielded Wirewound Inductor 1.42A 132 mOhm Max 2220 (5650 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:10μH 容差:±10% 额定电流:1.42A 电流 - 饱和值:2.28A 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:132 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:15 @ 2.52MHz 频率 - 自谐振:19MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:2.52MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2220（5650 公制） 大小/尺寸:0.221" 长 x 0.197" 宽（5.60mm x 5.00mm） 高度 - 安装（最大值）:0.209"（5.30mm） 标准包装:1 B82442T1102M50 功能描述:1μH Unshielded Wirewound Inductor 3.51A 25 mOhm Max 2-SMD, J-Lead 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1μH 容差:±20% 额定电流:3.51A 电流 - 饱和值:7.33A 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:25 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:15 @ 7.96MHz 频率 - 自谐振:111MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:7.96MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD，J 形引线 大小/尺寸:0.220" 长 x 0.197" 宽（5.60mm x 5.00mm） 高度 - 安装（最大值）:0.209"（5.30mm） 标准包装:1 B82442T1153K50 B82442T1154K050 B82442T1154K50 B82442T1155J50 B82442T1155K050 B82442T1155K50 B82442T1183K050 B82442T1183K50 B82442T1184K050 B82442T1184K50 B82442T1185J50 B82442T1185K050 B82442T1185K50 B82442T1222M50 B82442T1223K50 B82442T1224K50 B82442T1225J50 B82442T1225K50
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