配单专家企业名单

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说明
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B82462G4333M000
汕头市潮南区海特旺电子贸易有限公司
汕头市潮南区海特旺电子贸易有限公司
联系人：陈先生
电话：0754-84492320
地址：广东省汕头市潮南区陈店镇溪口九斗花园旁
235000
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SMD
2020+
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进口原装公司现货

B82462G4333M000
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
100
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现货！就到京北通宇商城

B82462G4333M000
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
100
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现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

B82462G4333M000
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
100
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现货常备产品原装可到京北通宇商城查价

B82462G4333M000
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
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最新批号
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一级代理.原装特价现货！

B82462G4333M000
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
11630
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原厂原装
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原装正品，优势供应

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B82462G4333M000 技术参数

B82462G4333M 功能描述:33μH Shielded Wirewound Inductor 850mA 230 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:33μH 容差:±20% 额定电流:850mA 电流 - 饱和值:720mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:230 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.248" 长 x 0.248" 宽（6.30mm x 6.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.118"（3.00mm）标准包装:1 B82462G4332M 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 31 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:2.3A 电流 - 饱和值:2.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:31 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.248" 长 x 0.248" 宽（6.30mm x 6.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.118"（3.00mm）标准包装:1 B82462G4224M 功能描述:220μH Shielded Wirewound Inductor 350mA 1.35 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:220μH 容差:±20% 额定电流:350mA 电流 - 饱和值:280mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:1.35 欧姆最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.248" 长 x 0.248" 宽（6.30mm x 6.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.118"（3.00mm）标准包装:1 B82462G4223M 功能描述:22μH Shielded Wirewound Inductor 1.05A 150 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:22μH 容差:±20% 额定电流:1.05A 电流 - 饱和值:850mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:150 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.248" 长 x 0.248" 宽（6.30mm x 6.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.118"（3.00mm）标准包装:1 B82462G4222M 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 2.55A 25 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:2.55A 电流 - 饱和值:2.6A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:25 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.248" 长 x 0.248" 宽（6.30mm x 6.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.118"（3.00mm）标准包装:1 B82462X00040000 B82462X004 B82462X4 B82464A2102M B82464A2103M B82464A2104K B82464A2152M B82464A2153K B82464A2154K B82464A2222M B82464A2223K B82464A2224K B82464A2332M B82464A2333K B82464A2334K B82464A2362M B82464A2472M B82464A2473K