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B82462G4684M000

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 厂商
  • 封装
  • 批号
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  • 说明
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  • B82462G4684M000
    B82462G4684M000

    B82462G4684M000

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:杨先生

    电话:0755-23603360832114658325800283223169

    地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 2497

  • EPCOS

  • -
  • 公司现货!只做原装!

  • B82462G4684M000
    B82462G4684M000

    B82462G4684M000

  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人:郑小姐

    电话:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411

    资质:营业执照

  • 20356

  • EPCOS/爱普科斯

  • SMD

  • 2022+

  • -
  • 全新原装现货 支持BOM表配单

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  • 1
B82462G4684M000 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • FIXED IND 680UH 200MA 4.05 OHM
  • 制造商
  • epcos (tdk)
  • 系列
  • B82462G4
  • 包装
  • 带卷(TR)
  • 零件状态
  • 在售
  • 类型
  • 绕线
  • 材料 - 磁芯
  • 铁氧体
  • 电感
  • 680μH
  • 容差
  • ±20%
  • 额定电流
  • 200mA
  • 电流 - 饱和值
  • 150mA
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 电阻(DCR)
  • 4.05 欧姆最大
  • 不同频率时的 Q 值
  • -
  • 等级
  • AEC-Q200
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C
  • 频率 - 测试
  • 100kHz
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 非标准
  • 供应商器件封装
  • -
  • 大小/尺寸
  • 0.248" 长 x 0.248" 宽(6.30mm x 6.30mm)
  • 高度 - 安装(最大值)
  • 0.118"(3.00mm)
  • 标准包装
  • 2,500
B82462G4684M000 技术参数
  • B82462G4684M 功能描述:680μH Shielded Wirewound Inductor 200mA 4.05 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:680μH 容差:±20% 额定电流:200mA 电流 - 饱和值:150mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):4.05 欧姆最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.248" 长 x 0.248" 宽(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安装(最大值):0.118"(3.00mm) 标准包装:2,500 B82462G4683M 功能描述:68μH Shielded Wirewound Inductor 650mA 410 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:68μH 容差:±20% 额定电流:650mA 电流 - 饱和值:500mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):410 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.248" 长 x 0.248" 宽(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安装(最大值):0.118"(3.00mm) 标准包装:1 B82462G4682M 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 1.65A 50 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:6.8μH 容差:±20% 额定电流:1.65A 电流 - 饱和值:1.5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):50 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.248" 长 x 0.248" 宽(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安装(最大值):0.118"(3.00mm) 标准包装:1 B82462G4474M 功能描述:470μH Shielded Wirewound Inductor 240mA 2.7 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:470μH 容差:±20% 额定电流:240mA 电流 - 饱和值:180mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):2.7 欧姆最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.248" 长 x 0.248" 宽(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安装(最大值):0.118"(3.00mm) 标准包装:1 B82462G4473M 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 750mA 310 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:47μH 容差:±20% 额定电流:750mA 电流 - 饱和值:600mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):310 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.248" 长 x 0.248" 宽(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安装(最大值):0.118"(3.00mm) 标准包装:1 B82464A2154K B82464A2222M B82464A2223K B82464A2224K B82464A2332M B82464A2333K B82464A2334K B82464A2362M B82464A2472M B82464A2473K B82464A2682M B82464A2683K B82464A4102M B82464A4103M B82464A4104K B82464A4105K B82464A4152M B82464A4153K
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