B82559A4212F

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B82559A4212F 技术参数

B82559A392A13 功能描述:3.9μH Shielded Wirewound Inductor 12A 4.8 mOhm Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:HPI 13 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:3.9μH 容差:±10% 额定电流:12A 电流 - 饱和值:12A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:4.8 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 130°C 频率 - 测试:10kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.512" 长 x 0.421" 宽（13.00mm x 10.70mm）高度 - 安装（最大值）:0.235"（5.95mm）标准包装:1 B82559A353A20 功能描述:FIXED IND 35UH 7 MOHM SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:ERU20 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:35μH 容差:±10% 电流 - 饱和值:9.3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:7 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准供应商器件封装:- 大小/尺寸:0.846" 长 x 0.827" 宽（21.50mm x 21.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.559"（14.20mm）标准包装:1 B82559A3292A25 功能描述:FIXED IND 2.9UH 33A 1 MOHM SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:ERU25 包装:托盘零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:2.9μH 容差:±7% 电流 - 饱和值:33A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:1 毫欧不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 130°C 频率 - 测试:10kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准供应商器件封装:- 大小/尺寸:0.996" 长 x 0.925" 宽（25.30mm x 23.50mm）高度 - 安装（最大值）:0.423"（10.75mm）标准包装:280 B82559A3232A25 B82559A3152A20 功能描述:FIXED IND 1.5UH 0.9 MOHM SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:ERU20 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:1.5μH 容差:±10% 电流 - 饱和值:50A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:0.9 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准供应商器件封装:- 大小/尺寸:0.846" 长 x 0.827" 宽（21.50mm x 21.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.437"（11.10mm）标准包装:1 B82559A5472A016 B82559A5472A019 B82559A5612A25 B82559A5682A20 B82559A6682A016 B82559A6682A019 B82559A6792A25 B82559A7103A016 B82559A7103A019 B82559A7103A20 B82559A7103A25 B82559A7153A025 B82559A9153A019 B82559A9153A20 B82559A9203A025 B82559A951A13 B82559X1 B82559X2