B82559A7602C030

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B82559A7602C030 技术参数

B82559A7153A025 功能描述:FIXED INDUCT 15UH 2.55 MOHM 制造商:epcos (tdk) 系列:ERU25 包装:托盘零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:15μH 容差:±7% 电流 - 饱和值:14A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:2.55 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:10kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准供应商器件封装:- 大小/尺寸:0.925" 长 x 0.925" 宽（23.50mm x 23.50mm）高度 - 安装（最大值）:0.512"（13.00mm）标准包装:240 B82559A7103A25 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 2.2 mOhm Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:ERU25 包装:散装零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:10μH 容差:±7% 额定电流:- 电流 - 饱和值:24A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:2.2 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 130°C 频率 - 测试:10kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.996" 长 x 0.925" 宽（25.30mm x 23.50mm）高度 - 安装（最大值）:0.506"（12.85mm）标准包装:240 B82559A7103A20 功能描述:FIXED IND 10UH 3.9 MOHM SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:ERU20 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:10μH 容差:±10% 电流 - 饱和值:18.3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:3.9 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准供应商器件封装:- 大小/尺寸:0.846" 长 x 0.827" 宽（21.50mm x 21.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.437"（11.10mm）标准包装:1 B82559A7103A019 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 9.55 mOhm Max 3-SMD, J-Lead 制造商:epcos (tdk) 系列:ERU19 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:10μH 容差:±10% 额定电流:- 电流 - 饱和值:12.7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:9.55 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:2MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，J 形引线大小/尺寸:0.807" 长 x 0.807" 宽（20.50mm x 20.50mm）高度 - 安装（最大值）:0.358"（9.10mm）标准包装:1 B82559A7103A016 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 11A 7.9 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:ERU16 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:10μH 容差:±10% 额定电流:11A 电流 - 饱和值:12.2A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:7.9 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.736" 长 x 0.681" 宽（18.70mm x 17.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.343"（8.70mm）标准包装:1 B82614R2102A30 B82614R2172A030 B82614R2172A30 B82614R2202A030 B82614R2202A30 B82614R2242A030 B82614R2242A30 B82614R2272A030 B82614R2272A30 B82614R2801A030 B82614R2801A30 B82615B2102M001 B82615B2102M1 B82615B2182M1 B82615B2202M001 B82615B2202M1 B82615B2302M001 B82615B2302M1