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BAS116-F

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  • BAS116-FDI
    BAS116-FDI

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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:廖女士

    电话:13410012158

    地址:广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

  • 5000

  • DIODES

  • SOT-23

  • 11+

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  • 100%进口原装正品,只做原装

  • BAS116-F
    BAS116-F

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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  • 865000

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BAS116-F 技术参数
  • BAS116E6433HTMA1 功能描述:Diode Standard 80V 250mA (DC) Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:上次购买时间 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 电流 - 平均整流(Io):250mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):1.5μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:10,000 BAS116E6327HTSA1 功能描述:Diode Standard 80V 250mA (DC) Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:上次购买时间 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 电流 - 平均整流(Io):250mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):1.5μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:1 BAS116-7-F 功能描述:Diode Standard 85V 215mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):85V 电流 - 平均整流(Io):215mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 BAS116,235 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):215mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 工作温度 - 结:150°C(最大) 基本零件编号:BAS116 标准包装:1 BAS116,215 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):215mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 工作温度 - 结:150°C(最大) 基本零件编号:BAS116 标准包装:1 BAS116QAZ BAS116T,115 BAS116T-7 BAS116T-7-F BAS116TT1G BAS116UDJ-7 BAS116V-7 BAS12504WE6327HTSA1 BAS12504WH6327XTSA1 BAS12505WE6327HTSA1 BAS12505WH6327XTSA1 BAS12507WE6327HTSA1 BAS12507WH6327XTSA1 BAS140WE6327HTSA1 BAS16 BAS16 RFG BAS16,215 BAS16,235
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