BAS116LT1G.

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BAS116LT1G.
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
66790
ON SEMICO
1521+
-
全新原装现货

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制造商
ON Semiconductor
功能描述
Small Signal Diode
制造商
ON Semiconductor
功能描述
SWITCHING DIODE, 75V, 200mA, SOT-23

BAS116LT1G. 技术参数

BAS116LT1G 功能描述:Diode Standard 75V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:200mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 BAS116LT1 功能描述:Diode Standard 75V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:200mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:10 BAS116LPH4-7B 功能描述:Diode Standard 85V 215mA (DC) Surface Mount X2-DFN1006-2 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:85V 电流 - 平均整流（Io）:215mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-XFDFN 供应商器件封装:X2-DFN1006-2 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 BAS116LP3-7 功能描述:Diode Standard 85V 215mA (DC) Surface Mount 2-X3-DFN0603 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:85V 电流 - 平均整流（Io）:215mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.35V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-XFDFN 供应商器件封装:2-X3-DFN0603 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 BAS116H,115 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123F 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:215mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:SOD-123F 工作温度 - 结:150°C（最大）基本零件编号:BAS116 标准包装:1 BAS12504WE6327HTSA1 BAS12504WH6327XTSA1 BAS12505WE6327HTSA1 BAS12505WH6327XTSA1 BAS12507WE6327HTSA1 BAS12507WH6327XTSA1 BAS140WE6327HTSA1 BAS16 BAS16 RFG BAS16,215 BAS16,235 BAS16_D87Z BAS16_L99Z BAS16_S00Z BAS1602LE6327XTMA1 BAS1602VH6327XTSA1 BAS1602WH6327XTSA1 BAS1603WE6327HTSA1