BAS42

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BAS42 技术参数

BAS416Z 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:200mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:3,000 BAS416F 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:200mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:10,000 BAS416,115 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:200mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:150°C（最大）基本零件编号:BAS416 标准包装:1 BAS40XY,115 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管配置:2 对串联二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 40mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 40V 工作温度 - 结:150°C（最大）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:BAS40XY 标准包装:1 BAS40WT-TP 功能描述:Diode Schottky 40V 200mA (DC) Surface Mount SOT-323 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:200mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 40mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:5ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 BAS516,135 BAS516,315 BAS516,H3F BAS516,L3F BAS516-TP BAS5202VE6127XT BAS5202VH6327XTSA1 BAS5202VH6433XTMA1 BAS521,115 BAS521,135 BAS521,315 BAS521-7 BAS521LP-7 BAS521LPQ-7B BAS521Q-13 BAS56,215 BAS56,235 BAS581-02V-V-G-08