BAS52-02LE6327

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BAS52-02LE6327 技术参数

BAS516-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523 制造商:micro commercial co 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:250mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 BAS516,L3F 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:3ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:0.35pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:8,000 BAS516,H3F 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:3ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:0.35pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:4,000 BAS516,315 功能描述:Diode Standard 100V 250mA (DC) Surface Mount SOD-523 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:250mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:8,000 BAS516,135 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:250mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 工作温度 - 结:150°C（最大）基本零件编号:BAS516 标准包装:1 BAS521Q-13 BAS56,215 BAS56,235 BAS581-02V-V-G-08 BAS69-04WFILM BAS69-05WFILM BAS69-06WFILM BAS69-07P6FILM BAS69-09P6FILM BAS69KFILM BAS69WFILM BAS70 RFG BAS70,215 BAS70,235 BAS70-00-E3-08 BAS70-00-E3-18 BAS70-00-G3-08 BAS70-00-G3-18