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BAW62@133

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BAW62@133 技术参数
  • BAW62,143 功能描述:Diode Standard 75V 250mA (DC) Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:停产 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):250mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:ALF2 工作温度 - 结:200°C(最大) 标准包装:5,000 BAW62,133 功能描述:Diode Standard 75V 250mA (DC) Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:停产 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):250mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:ALF2 工作温度 - 结:200°C(最大) 标准包装:10,000 BAW62,113 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 250MA ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):250mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:ALF2 工作温度 - 结:200°C(最大) 标准包装:1 BAW62 功能描述:Diode Standard 75V 300mA Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):300mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:2,000 BAW56WT-TP 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 75V 150mA (DC) Surface Mount SC-70, SOT-323 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阳极 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):150mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2.5μA @ 75V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BAW76-TR BAW78DE6327HTSA1 BAW78DH6327XTSA1 BAW79DE6327HTSA1 BAW79DH6327XTSA1 BAX16 BAX16TR BAY135-TAP BAY71 BAY71_T50R BAY71TR BAY72 BAY72_T50R BAY72TR BAY73 BAY73_T50R BAY73TR BAY80
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