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BB659E6700

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：朱先生/李小姐

    电话：0755-2394163213723794312（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • VHF BAND, 38.3 PF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, SCD-80
BB659E6700 技术参数
  • BB659CH7912XTSA1 功能描述:DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 不同?Vr，F 时的电容:2.75pF @ 28V，1MHz 电容比:15.3 电容比条件:C1/C28 电压 - 峰值反向（最大值）:30V 二极管类型:单一 不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-80 供应商器件封装:PG-SCD80-2 标准包装:8,000 BB659CH7903XTMA1 功能描述:DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 不同?Vr，F 时的电容:2.75pF @ 28V，1MHz 电容比:15.3 电容比条件:C1/C28 电压 - 峰值反向（最大值）:30V 二极管类型:单一 不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-80 供应商器件封装:PG-SCD80-2 标准包装:10,000 BB659CH7902XTSA1 功能描述:DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 不同?Vr，F 时的电容:2.75pF @ 28V，1MHz 电容比:15.3 电容比条件:C1/C28 电压 - 峰值反向（最大值）:30V 二极管类型:单一 不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-80 供应商器件封装:PG-SCD80-2 标准包装:3,000 BB659C02VH7912XTSA1 功能描述:Varactor Single 30V Surface Mount PG-SC79-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 不同?Vr，F 时的电容:2.75pF @ 28V，1MHz 电容比:15.3 电容比条件:C1/C28 电压 - 峰值反向（最大值）:30V 二极管类型:单一 不同 Vr，F 时的 Q 值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:PG-SC79-2 标准包装:1 BB659C02VH7908XTSA1 功能描述:DIODE VAR CAP 30V 20MA SC79 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 不同?Vr，F 时的电容:2.75pF @ 28V，1MHz 电容比:15.3 电容比条件:C1/C28 电压 - 峰值反向（最大值）:30V 二极管类型:单一 不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:PG-SC79-2 标准包装:3,000 BB689H7912XTSA1 BB6X26CC-SB/2DC-LHS BB6X26-SB/2DC-LHS BB-75.000MBE-T BB-75.000MCE-T BB75070001 BB7603 BB7603R BB-77.760MBE-T BB-77.760MCE-T BB7X26CC-SB/2DC-LHS BB7X26-SB/2DC-LHS BB7X26-SB/DC,TC-LHS BB-80.000MBE-T BB-80.000MCE-T BB804,215 BB804SF1E6327HTSA1 BB804SF2E6327HTSA1
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