BC212015BESDN-E4

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BC212015BESDN-E4 技术参数

BC212_J35Z 功能描述:TRANS PNP 50V 0.3A TO-9 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BC212_D75Z 功能描述:TRANS PNP 50V 0.3A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BC212_D74Z 功能描述:TRANS PNP 50V 0.3A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BC212_D27Z 功能描述:TRANS PNP 50V 0.3A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BC212_D26Z 功能描述:TRANS PNP 50V 0.3A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BC212L_D27Z BC212L_D75Z BC212L_J35Z BC212LB BC212LB_D74Z BC212LB_J35Z BC213 BC213_J35Z BC213L BC213L_D27Z BC213L_J35Z BC214 BC214_J35Z BC214L BC214L_D26Z BC214L_J35Z BC214L_L34Z BC214LB