BC847C-G

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BC847C-GS08
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
VISHAY
SOT23
05+
-
假一罚十，百分百原装正品

BC847C-G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
COMCHIP T
1521+
-
全新原装现货

BC847C-G
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：雷小姐
电话：0755-2391507123915070（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
25000
COMCHIP/典琦科技
SOT-23
2020+
-
大中華區授權代理可接受訂貨

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功能描述
射频MOSFET小信号晶体管 SM SIGNAL TRANSISTOR
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
配置
Dual Dual Gate
晶体管极性
N-Channel
电阻汲极/源极 RDS（导通）
汲极/源极击穿电压
6 V
闸/源击穿电压
6 V
漏极连续电流
30 mA
功率耗散
180 mW
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-88
封装
Reel

BC847C-G 技术参数

BC847CE6433HTMA1 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:上次购买时间晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:330mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BC847CE6327HTSA1 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:上次购买时间晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:330mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BC847CDXV6T5G 功能描述:TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:2 NPN（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:8,000 BC847CDXV6T5 功能描述:TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:2 NPN（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:8,000 BC847CDXV6T1H 功能描述:TRANSISTOR NPN BIPOLAR SOT563 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:2 NPN（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563-6 标准包装:4,000 BC847CT-7-F BC847C-TP BC847CTT1 BC847CTT1G BC847CT-TP BC847CW RFG BC847CW,115 BC847CW,135 BC847CW/DG/B2,115 BC847CW/ZLF BC847CW/ZLX BC847CW-7-F BC847CWE6327BTSA1 BC847CWE6433HTMA1 BC847CWH6327XTSA1 BC847CWH6433XTMA1 BC847CWH6778XTSA1 BC847CWT1