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BC856-B-MTF

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    BC856-B-MTF

    BC856-B-MTF

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：朱先生/李小姐

    电话：0755-2394163213723794312（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • Fairchild

  • 原厂封装

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BC856-B-MTF 技术参数
  • BC856BMTF 功能描述:TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:310mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BC856BMBYL 功能描述:TRANS PNP 60V 0.1A XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:* 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:DFN1006B-3 标准包装:1 BC856BM3T5G 功能描述:TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:265mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SOT-723 标准包装:1 BC856BLT3G 功能描述:TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 标准包装:1 BC856BLT3 功能描述:TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 标准包装:10,000 BC856BT,115 BC856B-TP BC856BW,115 BC856BW,135 BC856BW/DG/B2,115 BC856BW/DG/B3X BC856BW/ZLF BC856BW/ZLX BC856BW-7-F BC856BWE6327BTSA1 BC856BW-G BC856BWT1G BC856CMTF BC856CW-G BC856S,115 BC856S,125 BC856S/ZLF BC856S/ZLH
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