BC856BLT2G

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BC856BLT2G 技术参数

BC856BLT1G 功能描述:TRANS PNP 65V 0.1A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 BC856BLT1 功能描述:TRANS PNP 65V 0.1A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:10 BC856B-HF 功能描述:TRANS PNP 65V 100A SOT23 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:新产品晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2.2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 BC856BDW1T3G 功能描述:TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:2 PNP（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:380mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标准包装:1 BC856BDW1T1G 功能描述:TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:2 PNP（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:380mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标准包装:1 BC856BS/DG/B2,115 BC856BS/DG/B3X BC856BS/ZLF BC856BS/ZLX BC856BT TR BC856BT,115 BC856B-TP BC856BW,115 BC856BW,135 BC856BW/DG/B2,115 BC856BW/DG/B3X BC856BW/ZLF BC856BW/ZLX BC856BW-7-F BC856BWE6327BTSA1 BC856BW-G BC856BWT1G BC856CMTF