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BC857BL1G

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  • 深圳廊盛科技有限公司
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  • 深圳廊盛科技有限公司
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BC857BL1G 技术参数
  • BC857BHZGT116 功能描述:PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTOR ( 制造商:rohm semiconductor 系列:汽车级,AEC-Q101 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):210 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SST3 标准包装:1 BC857B-HF 功能描述:TRANS PNP 45V 100MA SOT23 制造商:comchip technology 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):* 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):125 @ 2.2mA,5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 BC857BFZ-7B 功能描述:TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN060 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:435mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:X2-DFN0606-3 标准包装:1 BC857BFA-7B 功能描述:TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN0806-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:435mW 频率 - 跃迁:340MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:* 标准包装:1 BC857BE6433HTMA1 功能描述:TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):220 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:330mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BC857BMB,315 BC857BMTF BC857BM-TP BC857BQAZ BC857BR TR BC857BS,115 BC857BS,135 BC857BS-13-F BC857BS-7-F BC857BT,115 BC857BT116 BC857BT-7 BC857BT-7-F BC857B-TP BC857BTT1 BC857BTT1G BC857BV,115 BC857BV-7
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