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BC857BLPDICT

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BC857BLPDICT 技术参数
  • BC857BLP-7B 功能描述:TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):220 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-UFDFN 供应商器件封装:3-DFN1006(1.0x0.6) 标准包装:1 BC857BLP-7 功能描述:TRANS PNP 45V 0.1A 3-DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):220 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-UFDFN 供应商器件封装:3-DFN1006(1.0x0.6) 标准包装:1 BC857BLP4-7B 功能描述:TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006H4-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):220 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:X2-DFN1006-3 标准包装:1 BC857BLP4-7 功能描述:TRANS PNP 45V 0.1A 3-DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):220 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:X2-DFN1006-3 标准包装:1 BC857BL3E6327XTMA1 功能描述:TRANS PNP 45V 0.1A TSLP-3-1 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:上次购买时间 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):220 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101,SOT-883 供应商器件封装:PG-TSLP-3 标准包装:15,000 BC857BS,115 BC857BS,135 BC857BS-13-F BC857BS-7-F BC857BT,115 BC857BT116 BC857BT-7 BC857BT-7-F BC857B-TP BC857BTT1 BC857BTT1G BC857BV,115 BC857BV-7 BC857BV-TP BC857BW,115 BC857BW,135 BC857BW/ZLF BC857BW/ZLX
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