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BCM856SH6433XTMA1

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
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  • 天阳诚业科贸有限公司
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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
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  • 中山市翔美达电子科技有限公司
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  • 深圳市铭昌源科技有限公司
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • BCM856SH6433XTMA1
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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
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  • C72-晶体管

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 6-Pin SOT-363 T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • AF TRANSISTORS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • TRANS ARRAY PNP 65V 100MA SOT363
BCM856SH6433XTMA1 技术参数
  • BCM856SH6327XTSA1 功能描述:TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:上次购买时间 晶体管类型:2 PNP(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):65V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BCM856SE6327BTSA1 功能描述:TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:2 PNP(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):65V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 BCM856DS,115 功能描述:TRANS 2PNP 65V 0.1A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:2 PNP(双)配对 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):65V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:380mW 频率 - 跃迁:175MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74,SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 基本零件编号:BCM856 标准包装:1 BCM856BSH 功能描述:TRANS 2PNP 65V 0.1A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 晶体管类型:2 PNP(双)配对 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):65V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:175MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP, SC-88 基本零件编号:BCM856 标准包装:1 BCM856BSF 功能描述:BCM856BS/SOT363/SC-88 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 晶体管类型:2 PNP(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):65V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:10,000 BCM857DS,115 BCM857DS,135 BCM85810RHILGG BCM85810RLILGG BCM85810THILGG BCM85810TLILGG BCM8705BIFBG BCM8727CIFBG BCM8747BKFBG BCM88034B1KFSBG BCM88038B1KFSBG BCM88335L2CUBGT BCM88359CUBGT BCM89071A1CUBXGT BCM89200BBQLEG BCM89200BBQLEGT BCM89230B0BCFBG BCM89230B1BCFBG
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