BCP53E-6433

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制造商
Siemens
功能描述

BCP53E-6433 技术参数

BCP53-16TX 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:63 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:1.35W 频率 - 跃迁:145MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 BCP53-16TF 功能描述:BCP53-16T/SOT223/SC-73 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，2V 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:4,000 BCP5316TA 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SOT223 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 BCP53-16T3G 功能描述:TRANS PNP 80V 1.5A SOT-223 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 BCP53-16T1G 功能描述:TRANS PNP 80V 1.5A SOT-223 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 BCP54,135 BCP54_L99Z BCP54-10,135 BCP5410TA BCP54-16,115 BCP54-16,135 BCP5416E6433HTMA1 BCP5416H6327XTSA1 BCP5416H6433XTMA1 BCP5416TA BCP54-16-TP BCP54E6327HTSA1 BCP54H6327XTSA1 BCP54TA BCP55 BCP55,115 BCP55,135 BCP55-10,115