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BCR192E-6327

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BCR192E-6327
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
250000
INFINEON
SOT-23
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

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BCR192E-6327 技术参数

BCR191WH6327XTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:3,000 BCR191WE6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:3,000 BCR191E6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BCR185WH6327XTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 0.25W SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:1 BCR185WE6327BTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:3,000 BCR198E6393HTSA1 BCR198E6433HTMA1 BCR198SE6327BTSA1 BCR198SH6327XTSA1 BCR198SH6827XTSA1 BCR198WE6327BTSA1 BCR198WH6327XTSA1 BCR1AM-12A#C01 BCR1AM-12A#FD0 BCR1AM-8P#B00 BCR1AM-8P#B10 BCR1BM-16A#B00 BCR205WH6327XTSA1 BCR20CM-12LB#BB0 BCR20CM-16LB#BB0 BCR20FM-12LB#BB0 BCR20FM-14LJ#BB0 BCR20RM-30LA#B00