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BCW89T/R

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  • 功能描述
  • TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BCW89T/R 技术参数
  • BCW89,215 功能描述:TRANS PNP 60V 0.1A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:150MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 标准包装:1 BCW89 功能描述:TRANS PNP 60V 0.5A SOT23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BCW72T116 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SST3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:Not For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SST3 标准包装:3,000 BCW72LT1G 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标准包装:1 BCW72LT1 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标准包装:3,000 BCX17LT3G BCX17T116 BCX17TA BCX17TC BCX18,215 BCX18,235 BCX18LT1G BCX19 BCX19,215 BCX19,235 BCX19_D87Z BCX19LT1 BCX19LT1G BCX19T116 BCX19TA BCX19TC BCX20 BCX22
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