BD435F

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BD435F
深圳市佳鑫特电子有限公司
深圳市佳鑫特电子有限公司
联系人：陈
电话：134105056520755-83512964
地址：深圳市福田区佳和大厦B座2311
8800
PH
TO126F
N/A
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原厂原包装现货

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BD435F 技术参数

BD435 功能描述:TRANS NPN 32V 4A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:36W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32-3 标准包装:50 BD434STU 功能描述:TRANS PNP 22V 4A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:22V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:36W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:60 BD434S 功能描述:TRANS PNP 22V 4A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:22V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:36W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:250 BD434 功能描述:TRANS PNP 22V 4A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:22V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:36W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32 标准包装:50 BD433S 功能描述:TRANS NPN 22V 4A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:22V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:36W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:250 BD437G BD437S BD437T BD437TG BD438 BD438G BD438S BD438STU BD438TG BD439 BD439G BD439S BD440 BD44008 BD440G BD440S BD441 BD441G