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BD67891MUV-E2

配单专家企业名单
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  • BD67891MUV-E2
    BD67891MUV-E2

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  • 深圳市思诺康科技有限公司
    深圳市思诺康科技有限公司

    联系人:张小姐/Vivianvi

    电话:0755-83276452

    地址:坂田坂雪岗大道中兴路105号儒骏大厦5楼503室

  • 4700

  • Rohm Semiconductor

  • 32-VFQFN

  • 21+

  • -
  • 全新原装

  • BD67891MUV-E2
    BD67891MUV-E2

    BD67891MUV-E2

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • ROHM/罗姆

  • QFN

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • BD67891MUV-E2
    BD67891MUV-E2

    BD67891MUV-E2

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:廖女士

    电话:13410012158

    地址:广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

  • 1400

  • Rohm

  • 32-VFQFN

  • 22+

  • -
  • BD67891MUV-E2
    BD67891MUV-E2

    BD67891MUV-E2

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

    资质:营业执照

  • 50

  • ROHM

  • 19

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • BD67891MUV-E2
    BD67891MUV-E2

    BD67891MUV-E2

  • 深圳市轩盛达电子有限公司
    深圳市轩盛达电子有限公司

    联系人:

    电话:1588932848313924772445

    地址:深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103

  • 10000

  • -
  • 原厂原装现货,代找紧缺料

  • BD67891MUV-E2
    BD67891MUV-E2

    BD67891MUV-E2

  • 深圳市博盛源科技有限公司
    深圳市博盛源科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-23984783

    地址:华强广场C座22K

    资质:营业执照

  • 46700

  • ROHM/罗姆

  • QFN

  • 21+

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  • 制造商
  • ROHM Semiconductor
  • 功能描述
  • IC MOTOR DRIVER BD67891MUV-E2
BD67891MUV-E2 技术参数
  • BD678 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 4A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2.5V @ 30mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):750 @ 1.5A,3V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32-3 标准包装:50 BD677G 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 4A TO225 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2.5V @ 30mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):750 @ 1.5A,3V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 BD677ASTU 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2.8V @ 40mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):750 @ 2A,3V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:60 BD677AS 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2.8V @ 40mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):750 @ 2A,3V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:250 BD677AG 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 4A TO225 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2.8V @ 40mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):750 @ 2A,3V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 BD679AG BD679AS BD679ASTU BD679G BD680 BD680A BD680AG BD680AS BD680ASTU BD680G BD681 BD681G BD681S BD681STU BD682 BD682G BD682S BD682STU
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