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BD678H

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    BD678H

    BD678H

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

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BD678H 技术参数
  • BD678G 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 4A TO225 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2.5V @ 30mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):750 @ 1.5A,3V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 BD678AS 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 4A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2.8V @ 40mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):750 @ 2A,3V 功率 - 最大值:14W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:250 BD678AG 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 4A TO225 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2.8V @ 40mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):750 @ 2A,3V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 BD678A 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 4A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2.8V @ 40mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):750 @ 2A,3V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32-3 标准包装:1 BD678 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 4A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2.5V @ 30mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):750 @ 1.5A,3V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32-3 标准包装:50 BD680 BD680A BD680AG BD680AS BD680ASTU BD680G BD681 BD681G BD681S BD681STU BD682 BD682G BD682S BD682STU BD682T BD682TG BD68610EFV-E2 BD68620EFV-E2
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