BD680HGF

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BD680HGF 技术参数

BD680G 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 4A TO225 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 30mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 1.5A，3V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 BD680ASTU 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 4A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2.8V @ 40mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A，3V 功率 - 最大值:14W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:60 BD680AS 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 4A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2.8V @ 40mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A，3V 功率 - 最大值:14W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:250 BD680AG 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 4A TO225 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2.8V @ 40mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A，3V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 BD680A 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 4A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2.8V @ 40mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A，3V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32-3 标准包装:1 BD682TG BD68610EFV-E2 BD68620EFV-E2 BD68710EFV-E2 BD68715EFV-E2 BD68720EFV-E2 BD6873KN-E2 BD6874GLS-E2 BD6874GSW-E2 BD6875GLS-E2 BD6883GUL-E2 BD6884GUW-E2 BD6886GUL-E2 BD6889GU-E2 BD6909AEFV-E2 BD6920FP-E2 BD6922FV-E2 BD6923FV-E2