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BD8O2

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BD8O2 技术参数
  • BD8LB600FS-CE2 功能描述:8CH LOW-SIDE SWITCH 制造商:rohm semiconductor 系列:* 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 封装/外壳:24-SOP(0.213",5.40mm 宽) 供应商器件封装:24-SSOPA 标准包装:1 BD8LA700EFV-CE2 功能描述:8CH LOW-SIDE SWITCH, 3-5.5V DIGI 制造商:rohm semiconductor 系列:* 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 封装/外壳:24-VSSOP(0.220",5.60mm 宽)裸露焊盘 供应商器件封装:24-HTSSOP-B 标准包装:1 BD899A-S 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 8A 制造商:bourns inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2.8V @ 16mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):750 @ 4A,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:15,000 BD898-S 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 8A 制造商:bourns inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2.5V @ 12mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):750 @ 3A,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:15,000 BD898A-S 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 8A 制造商:bourns inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2.8V @ 16mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):750 @ 4A,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:15,000 BD9012KV-E2 BD9013KV-E2 BD9015KV-ME2 BD9016KV-ME2 BD901-S BD902-S BD9031FV-CE2 BD9035AEFV-CE2 BD9040FV-E2 BD9045FV-E2 BD90521EFV-CE2 BD90521MUV-CE2 BD90522EFJ-CE2 BD90525EFJ-CE2 BD90528EFJ-CE2 BD90532EFJ-CE2 BD90535EFJ-CE2 BD90538EFJ-CE2
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