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BF00963643

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

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BF00963643 技术参数
  • BF 998 E6327 功能描述:RF Mosfet N-Channel 8V 10mA 45MHz 28dB PG-SOT143-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:N 通道 频率:45MHz 增益:28dB 电压 - 测试:8V 额定电流:30mA 噪声系数:2.8dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:12V 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA 供应商器件封装:PG-SOT143-4 标准包装:1 BF 775 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 15V 45mA 5GHz 280mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10.5dB ~ 16dB 功率 - 最大值:280mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 15mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BF 770A E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 90mA 6GHz 300mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:6GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:9.5dB ~ 14.5dB 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 30mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):90mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BF 5030R E6327 功能描述:RF Mosfet N-Channel 3V 10mA 800MHz 24dB PG-SOT143R-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:N 通道 频率:800MHz 增益:24dB 电压 - 测试:3V 额定电流:25mA 噪声系数:1.3dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:8V 封装/外壳:SOT-143R 供应商器件封装:PG-SOT143R-4 标准包装:3,000 BF 5030 E6327 功能描述:RF Mosfet N-Channel 3V 10mA 800MHz 24dB PG-SOT143-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:N 通道 频率:800MHz 增益:24dB 电压 - 测试:3V 额定电流:25mA 噪声系数:1.3dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:8V 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA 供应商器件封装:PG-SOT143-4 标准包装:3,000 BF014D0123J BF014D0123K BF014D0124J BF014D0124K-- BF014D0152J BF014D0152K BF014D0153J BF014D0153K BF014D0154J BF014D0154K BF014D0182J BF014D0182K BF014D0183J BF014D0183K BF014D0184J-- BF014D0184JDA BF014D0184JDD BF014D0222J
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