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BF251

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  • BF2510
    BF2510

    BF2510

  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

  • 9894

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  • 绝对公司原装现货

  • BF251
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

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  • 假一罚十,百分百原装正品

  • BF2510
    BF2510

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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:86-755-8450174913760200702

    地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质:营业执照

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  • 绝对原装现货!

  • BF251
    BF251

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  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人:李女士

    电话:1530261991513762584085

    地址:深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室

  • 7600

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  • BF251A
    BF251A

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

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  • BF25150
    BF25150

    BF25150

  • 深圳市金嘉旭贸易有限公司
    深圳市金嘉旭贸易有限公司

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  • 进口原装特价出售

  • BF2510
    BF2510

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  • 深圳市企诺德电子有限公司
    深圳市企诺德电子有限公司

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    地址:深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB

    资质:营业执照

  • 15000

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  • 原装正品 专业BOM配单

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BF251 技术参数
  • BF247A_J35Z 功能描述:JFET N-Channel 25V 30mA @ 15V 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):25V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):30mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 BF247A 功能描述:JFET N-Channel 25V 30mA @ 15V 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):25V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):30mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 BF246B_J35Z 功能描述:JFET N-Channel 25V 60mA @ 15V 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):25V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):60mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 标准包装:2,000 BF246B 功能描述:JFET N-Channel 25V 60mA @ 15V 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):25V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):60mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 标准包装:2,000 BF246A_J35Z 功能描述:JFET N-Channel 30V 30mA @ 15V 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):30V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):30mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 BF26214-20B BF26230-24B BF26240-24B BF26250-24B BF26285-20B BF26318-20B BF26360-20B BF26409-31B BF2661-24B BF2698-20B BF2930 BF2F BF2G BF2M-C BF2M-M BF2M-M0 BF-3 BF3/RC
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