BF994S/T1

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BF994S/T1 技术参数

BF994S,215 功能描述:MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:N 通道双门频率:200MHz 增益:25dB 电压 - 测试:15V 额定电流:30mA 噪声系数:1dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143B 标准包装:1 BF992,215 功能描述:MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:N 通道双门频率:200MHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:40mA 噪声系数:1.2dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143B 标准包装:1 BF991,215 功能描述:MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:N 通道双门频率:100MHz 增益:29dB 电压 - 测试:10V 额定电流:20mA 噪声系数:0.7dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143B 标准包装:1 BF959ZL1G 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 频率 - 跃迁:700MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BF959ZL1 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 频率 - 跃迁:700MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BF999E6433HTMA1 BFA.0B.160.LN BFA.0E.100.NAS BFA.1E.100.NAS BFA.1E.103.BAS BFA.1K.100.NAE BFA.2E.100.NAS BFA.2K.100.KZS BFA.2K.100.NAS BFA.2V.100.NAZ BFA.3E.100.NAS BFA.3K.100.NAS BFA.3K.170.800EN BFA.4E.100.NAS BFA.4S.100.NAS BFA.5S.100.NAS BFA.MH.100.XAZ BFA0000002