BFG196-E6327(1K/RL)D/C01

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BFG196-E6327(1K/RL)D/C01 技术参数

BFG135AE6327XT 功能描述:RF Transistor NPN 15V 150mA 6GHz 1W Surface Mount PG-SOT223-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:6GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:9dB ~ 14dB 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:2,000 BFG135,115 功能描述:TRANS NPN 150MA 15V 7GHZ SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:1 BFG10W/X,115 功能描述:RF Transistor NPN 10V 250mA 1.9GHz 400mW Surface Mount 4-SO 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:1.9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:400mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 50mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:250mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-343 反向插针供应商器件封装:4-SO 标准包装:3,000 BFG10/X,215 功能描述:TRANS RF NPN 2GHZ 8V SOT143 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:8V 频率 - 跃迁:1.9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:7dB 功率 - 最大值:400mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 50mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:250mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143B 标准包装:1 BFG10,215 功能描述:TRANS RF NPN 2GHZ 8V SOT143 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:8V 频率 - 跃迁:1.9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:7dB 功率 - 最大值:400mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 50mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:250mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143B 标准包装:1 BFG325/XR,215 BFG325W/XR,115 BFG35,115 BFG403W,115 BFG410W,115 BFG410W,135 BFG424F,115 BFG424W,115 BFG425W,115 BFG425W,135 BFG480W,115 BFG480W,135 BFG505,215 BFG505/X,215 BFG505/X,235 BFG520,215 BFG520,235 BFG520/X,215