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BFR340FE6327XT

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans GP BJT NPN 6V 0.01A 3-Pin TSFP T/R
BFR340FE6327XT 技术参数
  • BFR32A10S1 功能描述:CIRCULAR 制造商:itt cannon, llc 系列:* 零件状态:在售 标准包装:25 BFR32A10P1 功能描述:CIRCULAR 制造商:itt cannon, llc 系列:* 零件状态:在售 标准包装:25 BFR31LT1G 功能描述:JFET N-Channel 1mA @ 10V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):25V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):1mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):2.5V @ 0.5nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 功率 - 最大值:225mW 标准包装:3,000 BFR31LT1 功能描述:JFET N-Channel 1mA @ 10V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):25V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):1mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):2.5V @ 0.5nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 功率 - 最大值:225mW 标准包装:3,000 BFR31,235 功能描述:JFET N-Channel 1mA @ 10V 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):25V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):1mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:10mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):2.5V @ 0.5nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 标准包装:10,000 BFR505,215 BFR505T,115 BFR520,215 BFR520,235 BFR520T,115 BFR540,215 BFR540,235 BFR720L3RHE6327XTSA1 BFR740EL3E6829XTSA1 BFR740L3RHE6327XTSA1 BFR750L3RHE6327XTSA1 BFR840L3RHESDE6327XTSA1 BFR843EL3E6327XTSA1 BFR92A,215 BFR92A,235 BFR92ALT1 BFR92AW,115 BFR92AW,135
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