BFR92ARGELB/P5

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BFR92ARGELB/P5 技术参数

BFR92ALT1 功能描述:RF POWER TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停產晶体管类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:4.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:3dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:273mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 14mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25mA 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 BFR92A,235 功能描述:RF Transistor NPN 15V 25mA 5GHz 300mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:65 @ 15mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:10,000 BFR92A,215 功能描述:TRANS NPN 25MA 15V 5GHZ SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:65 @ 15mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:1 BFR843EL3E6327XTSA1 功能描述:RF Transistor NPN 2.6V 55mA 125mW Surface Mount TSLP-3-10 制造商:infineon technologies 系列:* 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:2.6V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:* 增益:25.5dB 功率 - 最大值:125mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:* 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:55mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:TSLP-3-10 标准包装:1 BFR840L3RHESDE6327XTSA1 功能描述:RF Transistor NPN 2.6V 35mA 75GHz 75mW Surface Mount TSLP-3-9 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:2.6V 频率 - 跃迁:75GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.5dB @ 450MHz 增益:27dB 功率 - 最大值:75mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:150 @ 10mA，1.8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:TSLP-3-9 标准包装:1 BFR93AW,135 BFR93AWH6327XTSA1 BFR94A,215 BFR94AW,115 BFS 17P E6433 BFS 360L6 E6327 BFS 380L6 E6327 BFS 386L6 E6327 BFS 460L6 E6327 BFS 466L6 E6327 BFS 469L6 E6327 BFS 481 E6327 BFS 483 E6327 BFS100-48 BFS100X2000 BFS17,215 BFS17,235 BFS17A,215