BFR92AW@115

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BFR92AW@115 技术参数

BFR92AW,135 功能描述:RF Transistor NPN 15V 25mA 5GHz 300mW Surface Mount SOT-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:65 @ 15mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:10,000 BFR92AW,115 功能描述:TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:65 @ 15mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BFR92ALT1 功能描述:RF POWER TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停產晶体管类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:4.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:3dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:273mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 14mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25mA 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 BFR92A,235 功能描述:RF Transistor NPN 15V 25mA 5GHz 300mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:65 @ 15mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:10,000 BFR92A,215 功能描述:TRANS NPN 25MA 15V 5GHZ SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:65 @ 15mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:1 BFR94A,215 BFR94AW,115 BFS 17P E6433 BFS 360L6 E6327 BFS 380L6 E6327 BFS 386L6 E6327 BFS 460L6 E6327 BFS 466L6 E6327 BFS 469L6 E6327 BFS 481 E6327 BFS 483 E6327 BFS100-48 BFS100X2000 BFS17,215 BFS17,235 BFS17A,215 BFS17A,235 BFS17HTA