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BFS17P(PB)

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BFS17P(PB) 技术参数
  • BFS17NTA 功能描述:RF Transistor NPN 11V 50mA 3.2GHz 330mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):11V 频率 - 跃迁:3.2GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:- 功率 - 最大值:330mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):56 @ 5mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BFS17NQTA 功能描述:RF Transistor NPN 11V 50mA 3.2GHz 310mW Surface Mount SOT-23 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):11V 频率 - 跃迁:3.2GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:- 功率 - 最大值:310mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):56 @ 5mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 BFS17HTC 功能描述:RF Transistor NPN 15V 25mA 1.3GHz 330mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 频率 - 跃迁:1.3GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):4.5dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:330mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 2mA,1V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):25mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:10,000 BFS17HTA 功能描述:RF Transistor NPN 15V 25mA 1.3GHz 330mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 频率 - 跃迁:1.3GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):4.5dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:330mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 2mA,1V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):25mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BFS17A,235 功能描述:RF Transistor NPN 15V 25mA 2.8GHz 300mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 频率 - 跃迁:2.8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):2.5dB @ 800MHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):25 @ 2mA,1V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):25mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标准包装:10,000 BFS19,235 BFS-1A-05 BFS-1A-05C BFS-1A-05E BFS-1A-12 BFS-1A-12C BFS-1A-12E BFS20,215 BFS20,235 BFS200-12 BFS200-24 BFS200-48 BFS20W,115 BFS25A,115 BFS481H6327XTSA1 BFS483H6327XTSA1 BFS500-24 BFS500-48
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