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BFTM-3

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  • 制造商
  • United Automation Inc
  • 功能描述
  • TRIGGER MODULE BURST-FIRING
BFTM-3 技术参数
  • BFT93W,115 功能描述:RF Transistor PNP 12V 50mA 4GHz 300mW Surface Mount SOT-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:4GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):2.4dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 30mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 BFT93,215 功能描述:TRANS PNP 12V 5GHZ SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):2.4dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 30mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标准包装:1 BFT92W,115 功能描述:TRANS PNP 35MA 15V 4GHZ SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 频率 - 跃迁:4GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 15mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):25mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BFT92E6327 功能描述:RF Transistor PNP 15V 25mA 5GHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):2dB ~ 3.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:8dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):15 @ 15mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):25mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:10 BFT92,215 功能描述:TRANS PNP 25MA 15V 5GHZ SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):2.5dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 14mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):25mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标准包装:1 BFU520XVL BFU520YF BFU520YX BFU530AR BFU530AVL BFU530R BFU530VL BFU530WF BFU530WX BFU530XAR BFU530XRR BFU530XRVL BFU530XVL BFU550AR BFU550AVL BFU550R BFU550VL BFU550WF
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