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BL-S3132

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    BL-S3132

    BL-S3132

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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BL-S3132 技术参数
  • BLS2933-100,112 功能描述:RF Mosfet LDMOS 32V 20mA 2.9GHz ~ 3.3GHz 8dB 100W LDMOST 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:过期 晶体管类型:LDMOS 频率:2.9GHz ~ 3.3GHz 增益:8dB 电压 - 测试:32V 额定电流:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA 功率 - 输出:100W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502A 供应商器件封装:LDMOST 标准包装:20 BLS2731-50,114 功能描述:RF Transistor NPN 75V 6A 3.1GHz 80W Surface Mount CDFM2 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):75V 频率 - 跃迁:3.1GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:9dB 功率 - 最大值:80W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 1.5A,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):6A 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-422A 供应商器件封装:CDFM2 标准包装:4 BLS2731-20,114 功能描述:RF Transistor NPN 75V 3A 3.1GHz 270W Surface Mount CDFM2 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):75V 频率 - 跃迁:3.1GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:10dB 功率 - 最大值:270W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 500mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-445C 供应商器件封装:CDFM2 标准包装:4 BLS2731-110,114 功能描述:RF Transistor NPN 75V 12A 3.1GHz 500W Surface Mount CDFM2 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):75V 频率 - 跃迁:3.1GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:7dB 功率 - 最大值:500W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 3A,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):12A 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-423A 供应商器件封装:CDFM2 标准包装:4 BLS2731-10,114 功能描述:RF Transistor NPN 75V 1.5A 3.1GHz 145W Surface Mount CDFM2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:托盘 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):75V 频率 - 跃迁:3.1GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:10dB 功率 - 最大值:145W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 250mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-445C 供应商器件封装:CDFM2 标准包装:4 BLS6G2735L-30,112 BLS6G2735LS-30,112 BLS6G2933S-130,112 BLS6G3135-120,112 BLS6G3135-20,112 BLS6G3135S-120,112 BLS6G3135S-20,112 BLS7G2325L-105,112 BLS7G2729L-350P,11 BLS7G2729LS-350P,1 BLS7G2730L-200PU BLS7G2730LS-200PU BLS7G2933S-150,112 BLS7G3135L-350P,11 BLS7G3135LS-200U BLS7G3135LS-350P,1 BLS9G2729L-350U BLS9G2729LS-350U
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