BMS-36

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BMS-36 技术参数

BMS3004-1E 功能描述:MOSFET P-CH 75V 68A TO-220F-3SG 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:68A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.5 毫欧 @ 34A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13400pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220F-3SG 标准包装:50 BMS3003-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 78A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:78A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 39A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:285nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13200pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220F-3SG 标准包装:50 BMS3003 功能描述:MOSFET P-CH 60V 78A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:78A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 39A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:285nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13200pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:100 BMR85DD_8OHM 功能描述:8 Ohm Magnetic Speaker 20W 20Hz ~ 20kHz Top 85.4dB 制造商:peerless by tymphany 系列:BMR 零件状态:在售类型:磁性频率范围:20Hz ~ 20kHz 阻抗:8 欧姆声压级:85.4dB 功率 - 额定值:20W 功率 - 最大值:- 端口位置:顶部形状:* 材料 - 锥体:纸材料 - 磁铁:ND 端接:* 大小/尺寸:* 高度:* 标准包装:40 BMR85DD_4OHM 功能描述:4 Ohm Magnetic Speaker 20W 20Hz ~ 20kHz Top 87dB 制造商:peerless by tymphany 系列:BMR 零件状态:在售类型:磁性频率范围:20Hz ~ 20kHz 阻抗:4 欧姆声压级:87dB 功率 - 额定值:20W 功率 - 最大值:- 端口位置:顶部形状:* 材料 - 锥体:纸材料 - 磁铁:ND 端接:* 大小/尺寸:* 高度:* 标准包装:40 BMVK100ADA6R8MD60G BMVK160ADA100ME60G BMVK160ADA220MF60G BMVK160ADA4R7MD60G BMVK250ADA150MF60G BMVK250ADA3R3MD60G BMVK250ADA6R8ME60G BMVK350ADA100MF60G BMVK350ADA2R2MD60G BMVK350ADA4R7ME60G BMVK500ADA1R0MD60G BMVK500ADA1R5MD60G BMVK500ADA2R2ME60G BMVK500ADA3R3ME60G BMVK500ADA4R7MF60G BMVK500ADA6R8MF60G BMVK500ADAR10MD60G BMVK500ADAR15MD60G