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BMSKTOPASM369BTKC

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BMSKTOPASM369BTKC
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
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联系人：杨先生
电话：0755-23603360832114658325800283223169
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
10000
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BMSKTOPASM369BTKC 技术参数

BMS-DA-48 功能描述:CARD GUIDE,DBL,ADH MNT,BLACK,4FT 制造商:essentra components 系列:BMS 零件状态:有效配件类型:塑料，胶合剂，48.000"（1219.20mm）配套使用产品/相关产品:- 标准包装:100 BMS-D-48 功能描述:BOARD MNT STRIP DBL BLK 4' 制造商:essentra components 系列:BMS 零件状态:有效配件类型:塑料，48.000"（1219.20mm）配套使用产品/相关产品:- 标准包装:100 BMS4007-1E 功能描述:MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9700pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:50 BMS4007 功能描述:MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9700pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:100 BMS4003 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:65 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:680pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:100 BMVK250ADA3R3MD60G BMVK250ADA6R8ME60G BMVK350ADA100MF60G BMVK350ADA2R2MD60G BMVK350ADA4R7ME60G BMVK500ADA1R0MD60G BMVK500ADA1R5MD60G BMVK500ADA2R2ME60G BMVK500ADA3R3ME60G BMVK500ADA4R7MF60G BMVK500ADA6R8MF60G BMVK500ADAR10MD60G BMVK500ADAR15MD60G BMVK500ADAR22MD60G BMVK500ADAR33MD60G BMVK500ADAR47MD60G BMVK500ADAR68MD60G BMVK6R3ADA100MD60G