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BSC058N03LSG

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BSC058N03LSG 技术参数
  • BSC057N08NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.7 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 73μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):56nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3900pF @ 40V 功率 - 最大值:114W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC057N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),71A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.7 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3100pF @ 15V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC057N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Ta),71A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.7 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2400pF @ 15V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC054N04NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 81A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Ta),81A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.4 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 27μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2800pF @ 20V 功率 - 最大值:57W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC052N08NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 95A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):95A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.2 毫欧 @ 47.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 49μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2900pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC067N06LS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 BSC072N025S G BSC072N03LD G BSC072N03LDGATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 BSC079N03LSCGATMA1 BSC079N03SG BSC079N10NSGATMA1 BSC080N03LSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 BSC080P03LS G BSC080P03LSGAUMA1 BSC082N10LSGATMA1 BSC084P03NS3 G
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