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BSC075N03L

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BSC075N03L
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INFINEON
QFN8
最新批号
-
代理此型号.原装正品现货！

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BSC075N03L 技术参数

BSC072N08NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:74A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.2 毫欧 @ 37A， 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 36μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2100pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC072N03LDGATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:41nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 15V 功率 - 最大值:57W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 基本零件编号:BSC072N03 标准包装:1 BSC072N03LD G 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:41nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3500pF @ 15V 功率 - 最大值:57W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8（5.15x6.15）标准包装:1 BSC072N025S G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.2 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 30μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2230pF @ 15V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:5,000 BSC070N10NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2700pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC082N10LSGATMA1 BSC084P03NS3 G BSC084P03NS3EGATMA1 BSC084P03NS3GATMA1 BSC085N025S G BSC0901NS BSC0901NSATMA1 BSC0901NSI BSC0901NSIATMA1 BSC0902NS BSC0902NSATMA1 BSC0902NSI BSC0902NSIATMA1 BSC0904NSI BSC0904NSIATMA1 BSC0906NSATMA1 BSC0908NSATMA1 BSC0909NSATMA1