BSC085N025S-G

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BSC085N025S-G 技术参数

BSC085N025S G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta），35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.5 毫欧 @ 35A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 25μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1800pF @ 15V 功率 - 最大值:52W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:5,000 BSC084P03NS3GATMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14.9A（Ta），78.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 105μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:58nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4785pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），69W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.4 毫欧 @ 50A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC084P03NS3EGATMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14.9A（Ta），78.6A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.4 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 110μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:57.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4240pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC084P03NS3 G 功能描述:MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14.9A（Ta），78.6A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.4 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 105μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4785pF @ 15V 功率 - 最大值:69W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC082N10LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13.8A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.2 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 110μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:104nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7400pF @ 50V 功率 - 最大值:156W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC0904NSIATMA1 BSC0906NSATMA1 BSC0908NSATMA1 BSC0909NSATMA1 BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03MSGATMA1 BSC0910NDIATMA1 BSC0911NDATMA1 BSC0921NDIATMA1 BSC0923NDIATMA1 BSC0924NDIATMA1 BSC0925NDATMA1 BSC093N04LSGATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 BSC094N03S G BSC094N06LS5ATMA1 BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSTATMA1