BSC100N03LSGATMA1

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BSC100N03LSGATMA1
上海鑫科润电子科技有限公司
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联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Infineon Technologies
PG-TDSON-8
17+
-
全新原装现货

BSC100N03LSGATMA1
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
9800
Infineon Technologies
PG-TDSON-8
19+
-
代理直销！进口原装正品！

BSC100N03LSGATMA1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSC100N03LSGATMA1
深圳市正永电子有限公司
深圳市正永电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-23930354
地址：中航路都会轩3607
9800
Infineon Technologies
PG-TDSON-8
19+
-
代理直销！进口原装正品！

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8

BSC100N03LSGATMA1 技术参数

BSC0996NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 34V 13A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:34V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:20nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 毫欧 @ 8A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:5,000 BSC0993NDATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8TISON 制造商:infineon technologies 系列:* 零件状态:在售标准包装:5,000 BSC098N10NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.8 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 36μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2100pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC097N06NSTATMA1 功能描述:DIFFERENTIATED MOSFETS 制造商:infineon technologies 系列:* 零件状态:在售标准包装:5,000 BSC097N06NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:46A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.7 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 14μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1075pF @ 30V 功率 - 最大值:36W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC118N10NSGATMA1 BSC119N03S G BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N10LSGATMA1 BSC12DN20NS3 G BSC12DN20NS3GATMA1 BSC130P03LS G BSC130P03LSGAUMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 BSC150N03LD G BSC150N03LDGATMA1 BSC152N10NSFGATMA1 BSC159N10LSF G BSC159N10LSFGATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N15NS5ATMA1