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BSM10GD120DLCE3224

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  • BSM10GD120DLCE3224
    BSM10GD120DLCE3224

    BSM10GD120DLCE3224

    优势
  • 昆山开发区美科微电子商行
    昆山开发区美科微电子商行

    联系人:易春花

    电话:18951125455

    地址:开发区朝阳东路99号3号房2楼

  • 5000

  • 德国英飞凌

  • 全新原装

  • 19+

  • -
  • 上海 苏州 深圳 现货

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BSM10GD120DLCE3224 技术参数
  • BSM100GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 130A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):130A 功率 - 最大值:445W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.45V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:10 BSM100GB60DLC 功能描述:IGBT MODULE 600V 130A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):130A 功率 - 最大值:445W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.45V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:10 BSM080D12P2C008 功能描述:SIC POWER MODULE-1200V-80A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:托盘 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 13.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):800pF @ 10V 功率 - 最大值:600W 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:1 BSM-015G-LF 功能描述:Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Vented Gauge 0 mV ~ 79.5 mV (3V) 8-CLCC 制造商:all sensors corporation 系列:- 零件状态:过期 压力类型:排气式压力计 工作压力:15 PSI(103.42 kPa) 输出类型:模拟电压 输出:0 mV ~ 79.5 mV(3V) 精度:±2% 电压 - 电源:6V 端口尺寸:- 端口样式:无端口 特性:- 端子类型:表面贴装型 最高压力:45 PSI(310.26 kPa) 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:8-CLCC 供应商器件封装:8-LCC 标准包装:1 BSM 功能描述:9V MALE SNAP 制造商:mpd (memory protection devices) 系列:- 零件状态:有效 电池类型,功能:9V,卡入式触点(单) 样式:触点,卡入式(负极) 电池尺寸:9V 电池数:- 电池系列:- 安装类型:自定义 端子类型:- 板上高度:- 工作温度:- 标准包装:1,000 BSM2-C BSM2-X BSM300D12P2E001 BSM30GD60DLCE3224 BSM35GD120DN2 BSM35GP120 BSM35GP120BOSA1 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1 BSMN1-3K BSMN2-3K
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