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BSM50GD120DLCE3226

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  • BSM50GD120DLCE3226
    BSM50GD120DLCE3226

    BSM50GD120DLCE3226

    优势
  • 昆山开发区美科微电子商行
    昆山开发区美科微电子商行

    联系人:易春花

    电话:18951125455

    地址:开发区朝阳东路99号3号房2楼

  • 5000

  • 德国英飞凌

  • 全新原装

  • 19+

  • -
  • 上海 苏州 深圳 现货

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BSM50GD120DLCE3226 技术参数
  • BSM50GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 75A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.45V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):2.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:10 BSM50GB170DN2HOSA1 功能描述:IGBT Module Half Bridge 1700V 72A 500W Chassis Mount Module 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:上次购买时间 IGBT 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):72A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.9V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Vce 时的输入电容(Cies):8nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:10 BSM35GP120BOSA1 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):45A 功率 - 最大值:230W 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):1.5nF @ 25V 输入:- NTC 热敏电阻:是 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:10 BSM35GP120 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies industrial power and controls americas 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):45A 功率 - 最大值:230W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):* 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):1.5nF @ 25V 输入:- NTC 热敏电阻:是 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:10 BSM35GD120DN2 功能描述:IGBT BSM35GD120DN2BOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:停產 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.2V @ 15V,35A 不同?Vce 时的输入电容(Cies):2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:10 BSMV1BX-CY BSMV1BX-L BSMV1BX-LY BSMV1BX-XY BSMV2BX-C BSMV2BX-M BSMV2BX-X BSMV6X-L BSMV6X-Q BSMV6X-X BSN10-2K BSN10-D BSN10-E BSN10-L BSN14-3K BSN14-C BSN14-E BSN14-M
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