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BSO20ON03S

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BSO20ON03S 技术参数
  • BSO207PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.7A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 5.7A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 40μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):23.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1013pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:P-DSO-8 标准包装:2,500 BSO207PHXUMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 5.7A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 44μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1650pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO204PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):30 毫欧 @ 7A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 60μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):35.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1513pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:P-DSO-8 标准包装:2,500 BSO203SPNTMA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):21 毫欧 @ 9A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):50.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2265pF @ 15V 功率 - 最大值:2.35W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:P-DSO-8 标准包装:1 BSO203SPHXUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):39nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3750pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.6W(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):21 毫欧 @ 8.9A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:P-DSO-8 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 标准包装:1 BSO303P H BSO303PHXUMA1 BSO303PNTMA1 BSO303SPHXUMA1 BSO303SPNTMA1 BSO330N02KGFUMA1 BSO350N03 BSO4410 BSO4410T BSO4420 BSO4420T BSO4804 BSO4804HUMA2 BSO4804T BSO4822 BSO4822T BSO604NS2XUMA1 BSO612CV
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