BSO220N03MSGXUMA1

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说明
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BSO220N03MSGXUMA1
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
9800
Infineon Technologies
PG-DSO-8
19+
-
代理直销！进口原装正品！

BSO220N03MSGXUMA1
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Infineon Technologies
PG-DSO-8
17+
-
全新原装现货

BSO220N03MSGXUMA1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSO220N03MSGXUMA1
深圳市正永电子有限公司
深圳市正永电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-23930354
地址：中航路都会轩3607
9800
Infineon Technologies
PG-DSO-8
19+
-
代理直销！进口原装正品！

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin DSO T/R
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 30V 7A DSO-8

BSO220N03MSGXUMA1 技术参数

BSO220N03MD G 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 7.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:800pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO215C 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.7A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 3.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:246pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:2,500 BSO211PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.7A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:67 毫欧 @ 4.7A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 25μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:23.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:920pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:P-DSO-8 标准包装:1 BSO211PHXUMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:67 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 25μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1095pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:2,500 BSO207PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.7A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 5.7A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 40μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:23.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1013pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:P-DSO-8 标准包装:2,500 BSO330N02KGFUMA1 BSO350N03 BSO4410 BSO4410T BSO4420 BSO4420T BSO4804 BSO4804HUMA2 BSO4804T BSO4822 BSO4822T BSO604NS2XUMA1 BSO612CV BSO612CVGHUMA1 BSO613SPV BSO613SPV G BSO613SPVGHUMA1 BSO615C G