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BSO301SPHXT

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
BSO301SPHXT 技术参数
  • BSO301SP H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 14.9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):136nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5890pF @ 25V 功率 - 最大值:1.79W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO300N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.7A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):30 毫欧 @ 7.2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 8μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):600pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO220N03MSGXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):22 毫欧 @ 8.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):800pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO220N03MD G 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):22 毫欧 @ 7.7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):800pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO215C 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.7A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 3.7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):246pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:2,500 BSO4410 BSO4410T BSO4420 BSO4420T BSO4804 BSO4804HUMA2 BSO4804T BSO4822 BSO4822T BSO604NS2XUMA1 BSO612CV BSO612CVGHUMA1 BSO613SPV BSO613SPV G BSO613SPVGHUMA1 BSO615C G BSO615CGHUMA1 BSO615CT
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