BSO330N02KGINCT

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

没找到与 " BSO330N02KGINCT " 相关的供应商

您可以：

1. 缩短或修改您的搜索词，重新搜索

2. 发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复发布紧急采购

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： BSO350N03 BSO4410 BSO4410T BSO4420 BSO4420T BSO4804 BSO4804HUMA2 BSO4804T BSO4822

BSO330N02KGINCT PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BSO330N02KGINCT 技术参数

BSO330N02KGFUMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.4A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:730pF @ 10V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO303SPNTMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.9A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 8.9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:69nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1754pF @ 25V 功率 - 最大值:2.35W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:P-DSO-8 标准包装:1 BSO303SPHXUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 9.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2330pF @ 25V 功率 - 最大值:1.56W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO303PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:72.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1761pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:P-DSO-8 标准包装:2,500 BSO303PHXUMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:49nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2678pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO4822T BSO604NS2XUMA1 BSO612CV BSO612CVGHUMA1 BSO613SPV BSO613SPV G BSO613SPVGHUMA1 BSO615C G BSO615CGHUMA1 BSO615CT BSO615N BSO615N G BSO615NGHUMA1 BSOF3S3E-010.0M BSP 51 E6327 BSP 52 E6327 BSP 60 E6433 BSP030,115