您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > B字母型号搜索 >

BSO4420-

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作

没找到与 " BSO4420- " 相关的供应商

您可以:

1. 缩短或修改您的搜索词,重新搜索

2. 发布紧急采购,3分钟左右您将得到回复 发布紧急采购

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
BSO4420- PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
BSO4420- 技术参数
  • BSO4420 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.8 毫欧 @ 13A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 80μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):33.7nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2213pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 BSO4410T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11.1A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):13 毫欧 @ 11.1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 42μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):21nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1280pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 BSO4410 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11.1A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):13 毫欧 @ 11.1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 42μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):21nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1280pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 BSO350N03 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):35 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 6μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.7nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):480pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO330N02KGFUMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.4A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):30 毫欧 @ 6.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):730pF @ 10V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO613SPV BSO613SPV G BSO613SPVGHUMA1 BSO615C G BSO615CGHUMA1 BSO615CT BSO615N BSO615N G BSO615NGHUMA1 BSOF3S3E-010.0M BSP 51 E6327 BSP 52 E6327 BSP 60 E6433 BSP030,115 BSP100,135 BSP110,115 BSP122,115 BSP123E6327T
配单专家

在采购BSO4420-进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买BSO4420-产品风险,建议您在购买BSO4420-相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的BSO4420-信息由会员自行提供,BSO4420-内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号